NUS3116MTR2G

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功能描述
MOSFET OSPI QUAD BUS BUFFER
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

NUS3116MTR2G 技术参数

NUS3065MUTAG 功能描述:监控电路 LO PROFILE OVERVLTG PROTECT IC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel NUS3046MNT1G 功能描述:MOSFET 5.5V OVP IC W/ FET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NUR460/L03,112 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:停產二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.28V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:65ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:NUR460 标准包装:500 NUR460/L02,112 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.28V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:65ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:500 NUR460,133 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.28V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 NUSC6-WH NUSC8WC-WH NUSC8-WH NUSH NUTINY N79E85J NUTINY-SDK-M051 NUTINY-SDK-M0516 NUTINY-SDK-MINI51 NUTINY-SDK-NANO100 NUTINY-SDK-NANO120 NUTINY-SDK-NANO130 NUTINY-SDK-NUC100 NUTINY-SDK-NUC120 NUTINY-SDK-NUC122 NUTINY-SDK-NUC123 NUTINY-SDK-NUC140 NUTINY-SDK-NUC200 NUTINY-SDK-NUC220