规格驱动配置 | 低压侧 |
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通道类型 | 独立式 |
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栅极类型 | N 沟道,P 沟道 MOSFET |
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电压 - 电源 | 4.5 V ~ 18 V |
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逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.4V |
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电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 3A,3A |
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输入类型 | 反相 |
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高压侧电压 - 最大值(自举) | - |
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上升/下降时间(典型值) | 23ns,25ns |
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工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
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安装类型 | 通孔 |
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封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
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供应商器件封装 | 8-PDIP |
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