规格晶体管类型 | 4 NPN(四路) |
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电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
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电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
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不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 1V @ 50mA,500mA |
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电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) |
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不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V |
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功率 - 最大值 | 650mW |
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频率 - 跃迁 | 200MHz |
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工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
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安装类型 | 通孔 |
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封装/外壳 | 14-DIP(0.300",7.62mm) |
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供应商器件封装 | TO-116 |
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