IRFH5300TRPBF 晶体管
发布时间：3/22/2017 | 150 次阅读
型号：IRFH5300TRPBF
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品牌：IR
数量：3300PCS
描述：MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
FET类型：N沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25℃时）：40A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大Rds On，最小Rds，On）：4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 150μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：120nC @ 10V
不同Vds时输入电容（Ciss）（最大值）：7200pF @ 15V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），250W（Tc）
不同Id，Vgs时的Rds On（最大值）：1.4 毫欧 @ 50A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
全新原装正品现货
安装类型：表面贴装
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