SIS402DN-T1-GE3 原装正品~深圳市栢利世纪电子有限公司~~~

发布时间:2017/7/17 | 41 次阅读
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其它名称SIS402DN-T1-GE3TR 
SIS402DNT1GE3 

规格
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1700pF @ 15V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
功率耗散(最大值)3.8W(Ta),52W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)6 毫欧 @ 19A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装PowerPAK? 1212-8
封装/外壳PowerPAK? 1212-8
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