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IC/电子元器件

SIS402DN-T1-GE3 原装正品～深圳市栢利世纪电子有限公司～～～

发布时间：7/17/2017 | 82 次阅读
数据列表
其它名称SIS402DN-T1-GE3TR 
SIS402DNT1GE3 

规格
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1700pF @ 15V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）3.8W（Ta），52W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）6 毫欧 @ 19A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装PowerPAK? 1212-8
封装/外壳PowerPAK? 1212-8
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原装正品～深圳市栢利世纪电子有限公司～～～

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