驱动芯片/MC1413BDR2G 编带

发布时间:8/12/2017 | 40 次阅读
晶体管类型:7 NPN 达林顿
电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
安装类型:表面贴装
封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:16-SOIC


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