Digi-Key 零件编号 SI4490DY-T1-GE3TR-ND
检查提前期
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4490DY-T1-GE3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.85A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.56W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 80 毫欧 @ 4A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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