制造商
Microsemi Corporation
制造商零件编号
APTGT200A120G
描述 POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 32 周
详细描述 IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
类别 分立半导体产品
晶体管 - IGBT - 模块
制造商 Microsemi Corporation
系列 -
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 半桥
电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 280A
功率 - 最大值 890W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.1V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值） 350μA
不同 Vce 时的输入电容（Cies） 14nF @ 25V
输入 标准
NTC 热敏电阻 无
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP6
供应商器件封装 SP6
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