厂家热销APTGT200A120G集成电路IC

发布时间:2018/3/13 | 23 次阅读
制造商
Microsemi Corporation
制造商零件编号
APTGT200A120G
描述 POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 32 周
详细描述 IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
类别 分立半导体产品
晶体管 - IGBT - 模块
制造商 Microsemi Corporation
系列 -
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 280A
功率 - 最大值 890W
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.1V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值) 350μA
不同 Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP6
供应商器件封装 SP6
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