数据列表 NGTB50N60SWG;
标准包装 30
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
系列 -
规格
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 200A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.6V @ 15V，50A
开关能量 600μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 135nC
25°C 时 Td（开/关）值 70ns/144ns
测试条件 400V，50A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 376ns
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：吴先生
联系电话：18219172356/ 0755-36643492
QQ：2355717474
传真:0755-83219799
邮箱：2355717474@qq.com
地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
数据列表 NGTB50N60SWG;
标准包装 30
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
系列 -
规格
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 200A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.6V @ 15V，50A
开关能量 600μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 135nC
25°C 时 Td（开/关）值 70ns/144ns
测试条件 400V，50A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 376ns
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：吴先生
联系电话：18219172356/ 0755-36643492
QQ：2355717474
传真:0755-83219799
邮箱：2355717474@qq.com
地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602