晶体管 ZXMN2A14FTA MOSFET - 单

发布时间:6/20/2018 | 42 次阅读
ZXMN2A14FTA介绍:
描述 MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 20 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 20V 3.4A(Ta) 1W(Ta) SOT-23-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.6nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 544pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;

安富利(深圳)商贸有限公司,全球最专业的配单专家。一手货源!价格优势!
所出的物料,绝对原装正品!放心购买!
本公司为一般纳税人,可开16%增值税票!欢迎垂询!                  
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201
电话:0755-83259719

按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。