晶体管 FQP46N15 FET-MOSFET
发布时间：7/17/2018 | 24 次阅读
FQP46N15介绍：
描述 MOSFET N-CH 150V 45.6A TO-220
详细描述 通孔 N 沟道 150V 45.6A（Tc） 210W（Tc） TO-220-3
复制 通孔 N 沟道 150V 45.6A（Tc） 210W（Tc） TO-220-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 45.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 42 毫欧 @ 22.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 110nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3250pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 210W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.
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