制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 17 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 3 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
系列: SI4
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.9 mm
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 15 S
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: SI4848DY-GE3
单位重量: 506.600 mg
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