晶体管 ZXMHC6A07N8 MOSFET - 阵列

ZXMHC6A07N8介绍：

描述 MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

制造商标准提前期 20 周

详细描述 Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.39A，1.28A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 1.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 3.2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 166pF @ 40V

功率 - 最大值 870mW

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SOP

基本零件编号 ZXMHC6A07

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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