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FET 类型 |
N 沟道 |
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技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
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漏源电压（Vdss） |
200V |
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） |
75A（Tc） |
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） |
10V |
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） |
34 毫欧 @ 37A，10V |
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） |
4V @ 250μA |
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） |
84nC @ 10V |
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Vgs（最大值） |
±20V |
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） |
3260pF @ 25V |
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FET 功能 |
- |
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功率耗散（最大值） |
190W（Tc） |
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工作温度 |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
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安装类型 |
通孔 |
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