晶体管 FDG6316P MOSFET - 阵列

发布时间:2018/9/14 | 23 次阅读
FDG6316P介绍:
描述 MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
制造商标准提前期 42 周
详细描述 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 12V 700mA 300mW 表面贴装 SC-70-6
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包装   带卷(TR)  
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 700mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 270 毫欧 @ 700mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 146pF @ 6V
功率 - 最大值 300mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 SC-70-6
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