晶体管 FDG6316P MOSFET - 阵列
发布时间：9/14/2018 | 92 次阅读
FDG6316P介绍：
描述 MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
制造商标准提前期 42 周
详细描述 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 12V 700mA 300mW 表面贴装 SC-70-6
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 700mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 270 毫欧 @ 700mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 146pF @ 6V
功率 - 最大值 300mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装 SC-70-6
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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
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