晶体管 FDC653N MOSFET

发布时间：9/21/2018 | 93 次阅读

FDC653N介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6

制造商标准提前期 42 周

详细描述表面贴装 N 沟道 30V 5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装带卷（TR）

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 17nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 SuperSOT?-6

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。

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