晶体管 FDS9933A MOSFET - 阵列

发布时间:10/23/2018 | 33 次阅读
FDS9933A介绍:
描述 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
制造商标准提前期 26 周
详细描述 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 3.8A 900mW 表面贴装 8-SOIC
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包装    带卷(TR)  
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.8A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 75 毫欧 @ 3.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 10V
功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
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无论多么优良的电子管,都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因,晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善,晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍,称得起永久性器件的美名


ON Semiconductor

 

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