2SK3078 TOS 原装 射频金属氧化物半导体场效应

发布时间:4/15/2019 | 101 次阅读
制造商: Toshiba 
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 
RoHS:  详细信息  
晶体管极性: N-Channel 
技术: Si 
Id-连续漏极电流: 500 mA 
Vds-漏源极击穿电压: 10 V 
增益: 8 dB 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: PW-Mini-3 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
封装: Reel 
配置: Single  
工作频率: 470 MHz  
系列: 2SK3078  
类型: RF Power MOSFET  
商标: Toshiba  
Pd-功率耗散: 3 W  
产品类型: RF MOSFET Transistors  
工厂包装数量: 1000  
子类别: MOSFETs  
Vgs - 栅极-源极电压: 5 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V  
单位重量: 50 mg


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