SI9926CDY-T1-GE3 集成电路IC

发布时间:2019/6/13 | 17 次阅读
SI9926CDY-T1-GE3介绍:
制造商: Vishay 
产品种类: MOSFET 
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: SO-8 
通道数量: 2 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 20 V 
Id-连续漏极电流: 8 A 
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms 
Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV 
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V 
Qg-栅极电荷: 22 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 3.1 W 
配置: Dual 
通道模式: Enhancement 
商标名: TrenchFET 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
封装: Reel 
高度: 1.75 mm  
长度: 4.9 mm  
系列: SI9  
晶体管类型: 2 N-Channel  
宽度: 3.9 mm  
商标: Vishay / Siliconix  
正向跨导 - 最小值: 45 S  
下降时间: 12 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 10 ns  
工厂包装数量: 2500  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 35 ns  
典型接通延迟时间: 15 ns  
零件号别名: SI9926CDY-GE3  
单位重量: 187 mg







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