FGA25N120ANTDT ON Semiconductor IGBT 晶体管 TO-3P

发布时间:7/19/2019 | 139 次阅读
制造商: ON Semiconductor 
产品种类: IGBT 晶体管 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
封装 / 箱体: TO-3PN-3 
安装风格: Through Hole 
配置: Single 
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 
栅极/发射极最大电压: 20 V 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
系列: FGA25N120ANTDTU 
封装: Tube 
集电极最大连续电流 Ic: 50 A  
高度: 18.9 mm  
长度: 15.8 mm  
宽度: 5 mm  
商标: ON Semiconductor / Fairchild  
产品类型: IGBT Transistors  
工厂包装数量: 450  
子类别: IGBTs  
零件号别名: FGA25N120ANTDTU_F109  
单位重量: 6.401 g 

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