FF600R12ME4EB11BOSA1 IGBT 模块 IC

发布时间：1/17/2020 | 140 次阅读

FF600R12ME4EB11BOSA1参数介绍：

产品种类: IGBT 模块

产品: IGBT Silicon Modules

配置: Common Emitter

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 1.75 V

封装 / 箱体: 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

商标: Infineon Technologies

安装风格: Press Fit

工厂包装数量: 6

子类别: IGBTs

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FF600R12ME4EB11BOSA1封装图片: