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RUM002N02T2L规格书
RUM002N02T2L供货情况制造商: | ROHM Semiconductor | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
技术: | Si | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | SOT-723-3 | |
晶体管极性: | N-Channel | |
通道数量: | 1 Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V | |
Id-连续漏极电流: | 200 mA | |
Rds On-漏源导通电阻: | 1.2 Ohms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 8 V, + 8 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V | |
Qg-栅极电荷: | - | |
最小工作温度: | - 55 C | |
最大工作温度: | + 150 C | |
Pd-功率耗散: | 150 mW | |
通道模式: | Enhancement | |
封装: | Cut Tape | |
封装: | MouseReel | |
封装: | Reel | |
配置: | Single | |
系列: | RUM002N02 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
商标: | ROHM Semiconductor | |
正向跨导 - 最小值: | 200 mS | |
下降时间: | 10 ns | |
产品类型: | MOSFET | |
上升时间: | 10 ns | |
工厂包装数量: | 8000 | |
子类别: | MOSFETs | |
典型关闭延迟时间: | 15 ns | |
典型接通延迟时间: | 5 ns | |
零件号别名: | RUM002N02 | |
单位重量: | 1.500 mg |
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