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制造商: | Infineon | | 产品种类: | MOSFET | | RoHS: | | | 技术: | Si | | 安装风格: | SMD/SMT | | 封装 / 箱体: | TO-263-3 | | 晶体管极性: | N-Channel | | 通道数量: | 1 Channel | | Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | | Id-连续漏极电流: | 80 A | | Rds On-漏源导通电阻: | 5.4 mOhms | | Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | | Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V | | Qg-栅极电荷: | 81 nC | | 最小工作温度: | - 55 C | | 最大工作温度: | + 175 C | | Pd-功率耗散: | 107 W | | 通道模式: | Enhancement | | 资格: | AEC-Q101 | | 封装: | Reel | | 封装: | Cut Tape | | 商标: | Infineon Technologies | | 配置: | Single | | 下降时间: | 8 ns | | 高度: | 4.4 mm | | 长度: | 10 mm | | 产品类型: | MOSFET | | 上升时间: | 5 ns | | 系列: | IPB80N06S4 | | 工厂包装数量: | 1000 | | 子类别: | MOSFETs | | 晶体管类型: | 1 N-Channel | | 典型关闭延迟时间: | 35 ns | | 典型接通延迟时间: | 20 ns | | 宽度: | 9.25 mm | | 零件号别名: | IPB80N06S4-05 SP001028718 | | 单位重量: | 4 g |
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