FCPF600N60Z 原装正品现货供应

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制造商:

onsemi

产品种类:

MOSFET

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

650 V

Id-连续漏极电流:

7.4 A

Rds On-漏源导通电阻:

600 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

3.5 V

Qg-栅极电荷:

20 nC

最小工作温度:

- 50 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

28 W

通道模式:

Enhancement

封装:

Tube

商标:

onsemi / Fairchild

配置:

Single

下降时间:

9 ns

正向跨导 - 最小值:

6.7 S

高度:

16.07 mm

长度:

10.36 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

7 ns

工厂包装数量:

1000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

39 ns

典型接通延迟时间:

13 ns

宽度:

4.9 mm

单位重量:

2 g