- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21761 > NP40N055KLE-E1-AY (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 55V 40A TO-263 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NP40N055KLE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 40A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1950pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP40N055ELE, NP40N055KLE, NP40N055CLE, NP40N055DLE, NP40N055MLE, NP40N055NLE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
Drain Current (DC) (T C = 25 ° C)
V DSS
V GSS
I D(DC)
55
± 20
± 40
V
V
A
Drain Current (pulse)
Note1
I D(pulse)
± 100
A
Total Power Dissipation (T A = 25 ° C)
Total Power Dissipation (T C = 25 ° C)
Channel Temperature
Storage Temperature
P T
P T
T ch
T stg
1.8
66
175
? 55 to + 175
W
W
° C
° C
Single Avalanche Current
Note2
I AS
29/21/8
A
Single Avalanche Energy
Note2
E AS
0.8/44/64
mJ
Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
2. Starting T ch = 25 ° C, V DD = 28 V, R G = 25 Ω , V GS = 20 → 0 V (see Figure 4. )
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case Thermal Resistance
Channel to Ambient Thermal Resistance
R th(ch-C)
R th(ch-A)
2.27
83.3
° C/W
° C/W
2
Data Sheet D14093EJ7V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445I35H30M00000 | CRYSTAL 30.000000 MHZ 32PF SMD |
| B32022B3223M289 | FILM CAP 22NF 20% 300V MKP Y2 |
| 445I35H27M00000 | CRYSTAL 27.000000 MHZ 32PF SMD |
| 445I35H25M00000 | CRYSTAL 25.000000 MHZ 32PF SMD |
| 445I35H24M57600 | CRYSTAL 24.576000 MHZ 32PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP40N055KLE-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP40N055MHE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP40N055MHE-S18-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP40N055MLE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP40N055MLE-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 40A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。