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参数资料
| 型号： | NP80N055MHE-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
NP80N055EHE, NP80N055KHE, NP80N055CHE, NP80N055DHE, NP80N055MHE, NP80N055NHE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
Pulsed
200
100
10
T A = ? 40 ° C
25 ° C
75 ° C
150 ° C
175 ° C
160
120
V GS =10 V
80
1
40
0.1
1
2
3
4
V DS = 10 V
5
6
0
0
1
2
3
Pulsed
4
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100
10
1
0.1
V DS =10V
Pulsed
T A = 175 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
50
40
30
20
10
I D = 40 A
Pulsed
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I D - Drain Current - A
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure11. GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
30
20
Pulsed
4.0
3.0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
2.0
10
V GS = 10 V
1.0
0
1
10
100
1000
0
? 50
0
50
100
150
I D - Drain Current - A
Data Sheet D14096EJ7V0DS
T ch - Channel Temperature - ° C
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP80N055MLE-S18-AY | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
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参数描述 |
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| NP80N055MLE-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP80N055NDG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N055NDG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP80N055NHE | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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