NTB65N02RT4G
库存数量:可订货
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 24V 7.6A D2PAK
RoHS:无铅 / 符合
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产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单 描述 MOSFET N-CH 24V 7.6A D2PAK
产品变化通告 Product Obsolescence 19/Dec/2008
标准包装 800
系列 - FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 24V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 7.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 8.2 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1330pF @ 20V
功率 - 最大 1.04W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
其它名称 NTB65N02RT4GOS
NTB65N02RT4G 同类产品
型号 BTS409L1 E3062A 数量 4,000
RoHS PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Infineon Technologies 描述 IC SWITCH SMART HISIDE TO220AB-5
标准包装 1,000 系列 PROFET®
类型 高端
输入类型 非反相
输出数 1
导通状态电阻 160 毫欧
电流 - 输出 / 通道 2.3A
电流 - 峰值输出 7.5A
电源电压 5 V ~ 34 V
工作温度 -40°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-5,D²Pak(4 引线+接片),TO-263BB
供应商设备封装 P-TO220-5
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 817 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 BTS409L1 E3062A-ND
BTS409L1E3062AINTR
BTS409L1E3062ANT
BTS409L1E3062AT
SP000011232
型号 14B26-SZLB-300-0LC 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 3M 描述 CABLE ASSY MDR 26POS M-M 3.0M
标准包装 5 系列 Mini D Ribbon (MDR)
配置 Centronics 26 位置公形至公形
长度 9.84'(3.00m)
缆线类型 圆形 - 米色
屏蔽 屏蔽
样式 双向
其它名称 05113521734
14B26SZLB3000LC
5113521734
51135217344
80008053342
Q3041718
型号 TH3D226K020E0700 数量 可订货
RoHS PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Vishay Sprague 描述 CAP TANT 22UF 20V 10% 2917
标准包装 500 系列 TANTAMOUNT® TH3
电容 22µF
电压 - 额定 20V
容差 ±10%
ESR(等效串联电阻) 700 毫欧
类型 模制
工作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 2917(7343 公制)
尺寸/尺寸 0.287" L x 0.169" W(7.30mm x 4.30mm)
高度 - 座高(最大) 0.122"(3.10mm)
引线间隔 -
制造商尺寸代码 D
特点 高可靠性
包装 带卷 (TR)
寿命@温度 -
型号 ST5TW104 数量 可订货
RoHS PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Vishay BC Components 描述 TRIMMER 100K OHM 0.25W SMD
标准包装 500 系列 ST5
电阻(欧姆) 100k
功率(瓦特) 0.25W,1/4W
容差 ±10%
温度系数 ±100ppm/°C
匝数 14
调节型 顶部调节
电阻材料 金属陶瓷
安装类型 表面贴装
端接类型 鸥翼型
包装 带卷 (TR)
尺寸/尺寸 方形 - 0.236" L x 0.169" W x 0.266" H(6.00mm x 4.30mm x 6.75mm)
其它名称 ST-5TW104
ST5TW104TR
ST5W104TR
型号 NTB125N02RT4G 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 ON Semiconductor 描述 MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
产品变化通告 Product Obsolescence 13/Apr/2009
标准包装 800
系列 - FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 24V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 15.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 4.6 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 28nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3440pF @ 20V
功率 - 最大 1.98W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
其它名称 NTB125N02RT4GOS
型号 ST5TW503 数量 可订货
RoHS PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Vishay BC Components 描述 TRIMMER 50K OHM 0.25W SMD
标准包装 500 系列 ST5
电阻(欧姆) 50k
功率(瓦特) 0.25W,1/4W
容差 ±10%
温度系数 ±100ppm/°C
匝数 14
调节型 顶部调节
电阻材料 金属陶瓷
安装类型 表面贴装
端接类型 鸥翼型
包装 带卷 (TR)
尺寸/尺寸 方形 - 0.236" L x 0.169" W x 0.266" H(6.00mm x 4.30mm x 6.75mm)
其它名称 ST-5TW503
ST5W503TR
型号 MTW32N20EG 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 ON Semiconductor 描述 MOSFET N-CH 200V 32A TO247
产品变化通告 1Q2012 Discontinuation 30/Mar/2012
产品目录绘图 MOSFET TO-247AE
标准包装 30 系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 75 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 5000pF @ 25V
功率 - 最大 180W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247
包装 管件
产品目录页面 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 MTW32N20EGOS
型号 ST5TW203 数量 可订货
RoHS PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Vishay BC Components 描述 TRIMMER 20K OHM 0.25W SMD
标准包装 1 系列 ST5
电阻(欧姆) 20k
功率(瓦特) 0.25W,1/4W
容差 ±10%
温度系数 ±100ppm/°C
匝数 14
调节型 顶部调节
电阻材料 金属陶瓷
安装类型 表面贴装
端接类型 鸥翼型
包装 标准包装
尺寸/尺寸 方形 - 0.236" L x 0.169" W x 0.266" H(6.00mm x 4.30mm x 6.75mm)
其它名称 ST5W203DKR
型号 1N5244B-TP 数量 14,924
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Micro Commercial Co 描述 DIODE ZENER 500MW 14V DO35
产品培训模块 Diode Handling and Mounting
产品目录绘图 DO-35 Front
标准包装 10 系列 -
电压 - 齐纳(标称)(Vz) 14V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大) 1.1V @ 200mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电 100nA @ 10V
容差 ±5%
功率 - 最大 500mW
阻抗(最大)(Zzt) 15 欧姆
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
供应商设备封装 DO-35
包装 剪切带 (CT)
工作温度 -55°C ~ 150°C
其它名称 1N5244B-TPCT
型号 BTS443P 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Infineon Technologies 描述 SWITCH HIGH SIDE POWER TO252-5
标准包装 1 系列 PROFET®
类型 高端
输入类型 非反相
输出数 1
导通状态电阻 13 毫欧
电流 - 输出 / 通道 25A
电流 - 峰值输出 65A
电源电压 5 V ~ 36 V
工作温度 -40°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
供应商设备封装 PG-TO252-5
包装 标准包装
产品目录页面 817 (CN2011-ZH PDF)