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参数资料
| 型号： | NTI06J68NTRF |
| 厂商： | NIC COMPONENTS CORP |
| 元件分类： | 通用定值电感 |
| 英文描述： | 1 ELEMENT, 0.068 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| 封装： | CHIP, 0603M, ROHS COMPLIANT |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | NTI06J68NTRF |
13
NIC COMPONENTS CORP.
www.niccomp.com www.lowESR.com www.RFpassives.com www.SMTmagnetics.com
Available Values - 0402 Case Size
DC Current
Max. (mA)
Inductance
Value (nH)
0.2
0.3
0.4
0.5
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
4.3
4.7
5.4
5.6
5.9
6.5
6.8
7.2
8.0
8.1
8.2
9.1
10
10.8
12
13.8
15
17
18
20.8
22
27
33
Part
Number
NTI04_0N2TRF
NTI04_0N3TRF
NTI04_0N4TRF
NTI04_0N5TRF
NTI04_0N8TRF
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NTI04_6N8TRF
NTI04_7N2TRF
NTI04_8N0TRF
NTI04_8N1TRF
NTI04_8N2TRF
NTI04_9N1TRF
NT
I
04_10NTRF
NTI04_10N8TRF
NTI04_12NTRF
NTI04_13N8TRF
NTI04_15NTRF
NTI04_17NTRF
NTI04_18NTRF
NTI04_20N8TRF
NTI04_22NTRF
NTI04_27NTRF
NTI04_33NTRF
DC Resistance
Max. (
Ω
)
Available Tolerances & Tolerance Codes
Q Factor Min.
& Test Frequency
SRF
Min. (GHz)
0.10
800
±0.1nH (B), ±0.2nH (C), ±0.3nH (D)
13 min. @ 500MHz
14
0.15
700
12
0.25
10
560
0.35
8
440
0.45
380
6
0.55
340
0.65
320
0.85
280
1.05
260
1.25
220
5.5
1.35
200
±1% (F), ±2% (G) & ±5% (J)
4.5
1.55
180
3.7
1.75
130
3.3
1.95
2.15
2.55
2.65
3.25
4.50
100
3.1
90
2.8
75
2.5
±5% (J)
Thin Film Chip Inductors
NTI Series
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTI06J47NTRF | 1 ELEMENT, 0.047 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| NTI06J33NTRF | 1 ELEMENT, 0.033 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| NTI06J27NTRF | 1 ELEMENT, 0.027 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| NTI06J22NTRF | 1 ELEMENT, 0.022 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| NTI06J15NTRF | 1 ELEMENT, 0.015 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTIAF2291F100 | 制造商:NTI 功能描述:AF229SX100 1% LOC: 1704I |
| NTJD1155L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTJD1155LT1 | 功能描述:MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD1155LT1G | 功能描述:MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD116N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
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