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参数资料
| 型号： | NUD3124DMT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INDCT LOAD DRVR AUTO SC74-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MicroIntegration™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 1.4 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 200mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | SC-74 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1118 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NUD3124DMT1GOSDKR |
NUD3124, SZNUD3124
140
120
14
12
100
80
60
10
8
6
4
2
V DS = 28 V
40
80 110
140
170
200
230
260
290
320 350
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
80
70
60
RELAY’S COIL ( W )
Figure 4. Load Dump Capability versus
Relay’s Coil dc Resistance
34.8
34.6
34.4
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. Drain ? to ? Source Leakage versus
Junction Temperature
50
V GS = 5 V
34.2
I D = 10 mA
34.0
40
30
V GS = 3 V
33.8
33.6
20
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
33.4
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. Gate ? to ? Source Leakage versus
Junction Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 7. Breakdown Voltage versus Junction
Temperature
1
0.01
V GS = 5 V
V GS = 3 V
V GS = 2.5 V
V GS = 2 V
1
0.1
0.01
V DS = 0.8 V
125 ° C
1E ? 04
0.001
1E ? 06
1E ? 04
85 ° C
1E ? 08
V GS = 1 V
1E ? 05
1E ? 06
25 ° C
? 40 ° C
1E ? 10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
1E ? 07
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Output Characteristics
http://onsemi.com
6
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Transfer Function
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NUD3124LT1G | 功能描述:MOSFET 28V Industrial Relay Inductive Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3124LT1G/H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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