OP513D2K3B2A

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OP513D2K3B2A 技术参数

OP509B 功能描述:PHOTOTRANS SILICON NPN SIDE LOOK 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10.6mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:890nm 视角:50° 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:径向标准包装:100 OP508FA 功能描述:Phototransistor 890nm Top View Radial 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:散装零件状态:在售电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5.1mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:890nm 视角:120° 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:径向标准包装:100 OP506C 功能描述:PHOTOTRANSISTOR 3MM 935NM NPN 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:- 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:T-1 标准包装:100 OP506B 功能描述:PHOTOTRANSISTOR 3MM 935NM NPN 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5.95mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:- 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:T-1 标准包装:100 OP506A 功能描述:PHOTOTRANSISTOR 3MM 935NM NPN 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5.95mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:- 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:T-1 标准包装:100 OP520 OP520DA OP521 OP521DA OP522 OP525 OP525DA OP525F OP535A OP535B OP535C OP538FA OP538FB OP538FC OP550A OP550B OP550C OP550D