OP550-008

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OP550-008 技术参数

OP535B 功能描述:PHOTODARLINGTON SILICON NPN T-1 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:- 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:T-1 标准包装:100 OP535A 功能描述:PHOTODARLINGTON SILICON NPN T-1 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:- 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:T-1 标准包装:100 OP525DA 功能描述:PHOTODARLINGTON NPN CLR 1210 SMD 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 集射极击穿（最大值）:35V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:200nA 波长:935nm 视角:25° 功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 80°C（TA）封装/外壳:1210（3225 公制）标准包装:1 OP525 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN CLR 1210 SMD 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:25° 功率 - 最大值:75mW 安装类型:表面贴装朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 80°C（TA）封装/外壳:1210（3225 公制）标准包装:1 OP522 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN CLEAR 1206 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:- 功率 - 最大值:75mW 安装类型:表面贴装朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:1206（3216 公制）标准包装:1 OP555C OP555D OP560A OP560B OP560C OP565A OP565B OP565C OP570 OP571 OP572 OP57216 OP573 OP580 OP580DA OP585011 OP58509 OP593A