P11711.142NLT 1.4UH

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P11711.142NLT 1.4UH
北京元坤伟业科技有限公司
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深圳市一线半导体有限公司
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P11711.142NLT 1.4UH 技术参数

P1170NLKIT 功能描述:POWER SHIELDED SMT INDUCTO NPB 制造商:pulse electronics corporation 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 P1170.502NLT 功能描述:5μH Shielded Wirewound Inductor 6.4A 12 mOhm Max Nonstandard 制造商:pulse electronics corporation 系列:P1170NL 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:5μH 容差:±30% 额定电流:6.4A 电流 - 饱和值:6.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:12 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:30MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 130°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.482" 长 x 0.482" 宽（12.24mm x 12.24mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:1 P1170.334NLT 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 820mA 620 mOhm Max Nonstandard 制造商:pulse electronics corporation 系列:P1170NL 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:330μH 容差:±20% 额定电流:820mA 电流 - 饱和值:820mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:620 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:3MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 130°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.482" 长 x 0.482" 宽（12.24mm x 12.24mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:1 P1170.333NLT 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 70 mOhm Max Nonstandard 制造商:pulse electronics corporation 系列:P1170NL 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:33μH 容差:±20% 额定电流:2.6A 电流 - 饱和值:2.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:70 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:11MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 130°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.482" 长 x 0.482" 宽（12.24mm x 12.24mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:1 P1170.224NLT 功能描述:220μH Shielded Wirewound Inductor 1A 400 mOhm Max Nonstandard 制造商:pulse electronics corporation 系列:P1170NL 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:220μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:400 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:3.5MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 130°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.482" 长 x 0.482" 宽（12.24mm x 12.24mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:1 P1172.273NLT P1172.333NLT P1172.372NLT P1172.393NLT P1172.472NLT P1172.473NLT P1172.602NLT P1172.683NLT P1172.762NLT P1172NLKIT P1173.103NLT P1173.123NLT P1173.132NLT P1173.153NL P1173.153NLT P1173.183NLT P1173.202NLT P1173.223NL