PBLS4001V,115

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PBLS4001V,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SOT-666
18+
-
TRANS NPN PREBIAS/PN...

PBLS4001V,115
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
82490
NXP
SOT-563
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

PBLS4001V,115
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
NXP USA Inc.
原厂封装
20+
-

PBLS4001V,115
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

PBLS4001V,115
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：18998919871
地址：深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602
1000
NXP USA Inc.
带卷（TR）
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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1

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功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS LDSWITCH TAPE-7
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶体管极性
NPN/PNP
典型输入电阻器
典型电阻器比率
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作频率
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
150 mA
峰值直流集电极电流
功率耗散
200 mW
最大工作温度
封装
Reel

PBLS4001V,115 技术参数

PBLS4001D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停產晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:2.2 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V / 300 @ 100mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 310mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA，100nA 频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 基本零件编号:PBLS4001 标准包装:1 PBLS2024D,115 功能描述:TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，1.8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，20V 电阻器 - 基底（R1）:22 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:22 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V / 200 @ 1A，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA，100nA 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:760mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PBLS2023D,115 功能描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，1.8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，20V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:10 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V / 200 @ 1A，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA，100nA 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:760mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PBLS2022D,115 功能描述:TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，1.8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，20V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:4.7 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA，100nA 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:760mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PBLS2021D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，1.8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，20V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:2.2 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V / 200 @ 1A，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA，100nA 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:760mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 PBLS4004Y,115 PBLS4005D,115 PBLS4005V,115 PBLS4005Y,115 PBLS6001D,115 PBLS6002D,115 PBLS6003D,115 PBLS6004D,115 PBLS6005D,115 PBLS6021D,115 PBLS6022D,115 PBLS6023D,115 PBLS6024D,115 PBLSP600 PBLT0600 PBM0001 BK005 PBM0001 BK008 PBM0001 GR002