PD86-1180

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PD86-1180 技术参数

PD85035STR-E 功能描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）标准包装:1 PD85035S-E 功能描述:FET RF 40V 870MHZ 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）标准包装:400 PD85035-E 功能描述:FET RF 40V 870MHZ 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）标准包装:50 PD85035C 功能描述:FET RF 40V 945MHZ M243 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:M243 供应商器件封装:M243 标准包装:25 PD85025TR-E 功能描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17.3dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）标准包装:1 PD90XC57 PD93-21C/TR8 PD9501GR/AC PD95-21B/TR10 PDA 160160-EL PDA 240160-EL PDA 320240-EL PDA000001 PDA000002 PDA000003 PDA006A-1A0B PDA006A-1A0S-R PDA006A-350B PDA006A-350S-R PDA006A-700B PDA006A-700C PDA006A-700S-R PDA006B-700C