PDTA115EMB,315

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PDTA115EMB,315
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
3-DFN1006B（0.6x1）
18+
-
Pre-Biased Bipolar T...

PDTA115EMB,315
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT883
15+
-
原装正品，价格优势！

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans Digital BJT PNP 50V 20mA 3-Pin DFN T/R
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
PDTA115EMB/XQFN3/REELP2// - Tape and Reel
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
TRANSISTOR PNP 100MA 3DFN
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
PNP Resistor Equipped Transistor

PDTA115EMB,315 技术参数

PDTA115EM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTA115 标准包装:1 PDTA115EK,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:100k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 PDTA115EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:100k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTA114YT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:1 PDTA114YM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTA114 标准包装:1 PDTA115TU,115 PDTA123EE,115 PDTA123EK,115 PDTA123EM,315 PDTA123EMB,315 PDTA123ES,126 PDTA123ET,215 PDTA123ETVL PDTA123EU,115 PDTA123JE,115 PDTA123JK,115 PDTA123JM,315 PDTA123JMB,315 PDTA123JQAZ PDTA123JS,126 PDTA123JT,215 PDTA123JTVL PDTA123JU,115