PDTD113ZTVL

配单专家企业名单

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说明
操作

PDTD113ZTVL
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Nexperia USA Inc.
TO-236-3，SC-59，SOT-2
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

PDTD113ZTVL
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Nexperia
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PDTD113ZTVL
深圳市信通吉电子有限公司
深圳市信通吉电子有限公司
联系人：冯
电话：17841084408
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20
38000
Nexpe原装正品
SOT23
19+
-
香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

PDTD113ZTVL
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
400000
NEXPERIA/安世
SOT-23
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

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PDTD113ZTVL 技术参数

PDTD113ZT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:PDTD113 标准包装:1 PDTD113ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:1 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:33 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:1 PDTC144WT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:22 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:1 PDTC144WM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:22 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTC144 标准包装:1 PDTC144WE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTD123ES,126 PDTD123ET,215 PDTD123EUF PDTD123EUX PDTD123TK,115 PDTD123TS,126 PDTD123TT,215 PDTD123YK,115 PDTD123YQAZ PDTD123YS,126 PDTD123YT,215 PDTD123YUF PDTD123YUX PDTD143EQAZ PDTD143ETR PDTD143ETVL PDTD143EUF PDTD143EUX