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PDTD123YS

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  • PDTD123YS
    PDTD123YS

    PDTD123YS

  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

    电话:0755-83229772-83202753

    地址:办公地址 帮我改成 深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室

  • 12486

  • NXPSEMICONDUCTORS

  • 原厂

  • 21+

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  • 百分百进口原装现货,价格有优势。

  • PDTD123YS
    PDTD123YS

    PDTD123YS

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 638850

  • NXP

  • TO-92

  • 最新批次

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  • PDTD123YS,126
    PDTD123YS,126

    PDTD123YS,126

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • TO-92-3

  • 18+

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  • Pre-Biased Bipolar T...

  • PDTD123YS
    PDTD123YS

    PDTD123YS

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 5000

  • PHILIPS

  • -
  • 百分百原装正品,质量保障价格及优

  • PDTD123YS
    PDTD123YS

    PDTD123YS

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

  • 31919

  • NXP/恩智浦

  • 22+

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  • 终端免费提样,可开票

  • PDTD123YS
    PDTD123YS

    PDTD123YS

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 865000

  • NXPSEMICONDUCTORS

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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全称
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ
PDTD123YS 技术参数
  • PDTD123TT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 PDTD123ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):2.2 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:PDTD123 标准包装:1 PDTD114ETR 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 0.425W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):10 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:225MHz 功率 - 最大值:320mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 PDTD113ZT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):10 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:PDTD113 标准包装:1 PDTD113ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):1 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):33 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 PDTD143XQAZ PDTD143XTR PDTD143XTVL PDTD143XUF PDTD143XUX PDTH110 PDU1015-VM PDU1215 PDU1220 PDU1220T PDU1230 PDU12IEC PDU1415 PDU1415-VM PDU1420T PDU1420-VM PDU15NET PDU1615-VM
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