PEMH9/A2

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说明
操作

PEMH9/A2
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
NXP/恩智浦
SOT666
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PEMH9/A2
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：严艺浦
电话：18682365538
地址：上步工业区501栋410室
20000
NXP/恩智浦
SOT666
23+
-
原装正品欢迎咨询

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您是不是要找： PEMI1QFN/CE,315 PEMI1QFN/CG,315 PEMI1QFN/CK,315 PEMI1QFN/CM,315 PEMI1QFN/CP,315 PEMI1QFN/CR,315 PEMI1QFN/CT,315 PEMI1QFN/HE,315 PEMI1QFN/HG,315

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PEMH9/A2 技术参数

PEMH9,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMH20,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:2.2 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 基本零件编号:* 标准包装:1 PEMH15,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:4.7 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMH13,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMH11,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:10 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMI1QFN/HK,315 PEMI1QFN/HM,315 PEMI1QFN/HP,315 PEMI1QFN/HR,315 PEMI1QFN/HT,315 PEMI1QFN/LE,315 PEMI1QFN/LG,315 PEMI1QFN/LK,315 PEMI1QFN/LM,315 PEMI1QFN/LP,315 PEMI1QFN/LR,315 PEMI1QFN/LT,315 PEMI1QFN/RE,315 PEMI1QFN/RG,315 PEMI1QFN/RK,315 PEMI1QFN/RM,315 PEMI1QFN/RP,315 PEMI1QFN/RR,315