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PESD5V0S1BA/6X

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PESD5V0S1BA/6X 技术参数

PESD5V0S1BA,115 功能描述:TVS DIODE 5VWM 14VC SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:齐纳双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:5.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:14V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:12A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:130W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:35pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 基本零件编号:PESD*S1B 标准包装:1 PESD5V0R1BSFYL 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9.2VC DSN0603-2 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrEOS 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:齐纳双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.5A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:0.1pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:0201（0603 公制）供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:1 PESD5V0R1BSF 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9.2VC DSN0603-2 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrEOS 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:齐纳双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9.2V（标准）电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.5A(8/20μA）功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:0.1pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:0201（0603 公制）供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:1 PESD5V0L7BS,118 功能描述:TVS DIODE 5VWM 17VC 8SOIC 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:- 双向通道:7 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:7.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:17V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:2.5A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:35W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:8pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 PESD5V0L7BAS,118 功能描述:TVS DIODE 5VWM 17VC SOT5051 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:- 双向通道:7 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大）电压 - 击穿（最小值）:7.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:17V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:2.5A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:35W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:8pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 PESD5V0S1BLD,315 PESD5V0S1BSF,315 PESD5V0S1UA,115 PESD5V0S1UAF PESD5V0S1UB,115 PESD5V0S1UJ,115 PESD5V0S1UJF PESD5V0S1UL,315 PESD5V0S1ULD,315 PESD5V0S1USF,315 PESD5V0S2BQAZ PESD5V0S2BT,215 PESD5V0S2UAT,215 PESD5V0S2UQ,115 PESD5V0S4UD,115 PESD5V0S4UF,115 PESD5V0S5UD,115 PESD5V0U1BA,115