配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PH28F640W18BE60D
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
8436
NUMONYX
原厂
21+
-
百分百进口原装现货，价格有优势。

PH28F640W18BE
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
2679
INTEL
BGA
23+
-
原厂原装正品现货

PH28F640W18BE60
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INTEL
BGA
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PH28F640W18BE60
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
INTEL
BGA
15+
-
原装正品，假一罚十

PH28F640W18BE60
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
949
ITL
N/A
18+
-
进口原装特价出售

PH28F640W18BE
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3627
INTEL
BGA
2202+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

1/1页 40条/页共20条
1

您是不是要找： PH-2-90M PH2925U,115 PH2-L PH2R15-105GB3.9/2.8/1.5-U PH2R15-109GB3.9/2.8/1.5-U PH2S15-103GB3.9/2.8-U PH2-TL PH300 PH300A28012

PH28F640W18BE PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PH28F640W18BE 技术参数

PH28F320W18BE60A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 60NS VFBGA PH2731-75L 功能描述:TRANSISTOR BIPOLAR 2.7-3.1GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:8.16dB ~ 8.86dB 功率 - 最大值:75W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:7A 安装类型:底座安装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:6 PH2729-25M 功能描述:TRANS BIPOLAR 25W 2.7-2.9GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:9.2dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 安装类型:底座安装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:6 PH2729-130M 功能描述:TRANSISTOR 130WPK 2.7-2.9GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:63V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:9.73dB ~ 8.85dB 功率 - 最大值:130W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12.5A 安装类型:底座安装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:6 PH2625L,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4308pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PH300A28012/T PH300A28024 PH300A28024/T PH300A28028 PH300A28028/T PH300A28048 PH300A28048/T PH300F110-12 PH300F110-15 PH300F110-2 PH300F110-24 PH300F110-28 PH300F110-3 PH300F110-5 PH300F24-12 PH300F24-28 PH300F280-12 PH300F280-15