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PH29EEQ101504CF

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PH29EEQ101504CF 技术参数

PH2925U,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:92nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6150pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 毫欧 @ 25A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PH28F320W18BE60A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 60NS VFBGA PH2731-75L 功能描述:TRANSISTOR BIPOLAR 2.7-3.1GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:8.16dB ~ 8.86dB 功率 - 最大值:75W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:7A 安装类型:底座安装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:6 PH2729-25M 功能描述:TRANS BIPOLAR 25W 2.7-2.9GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:9.2dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 安装类型:底座安装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:6 PH2729-130M 功能描述:TRANSISTOR 130WPK 2.7-2.9GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:63V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:9.73dB ~ 8.85dB 功率 - 最大值:130W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12.5A 安装类型:底座安装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:6 PH300A28024/T PH300A28028 PH300A28028/T PH300A28048 PH300A28048/T PH300F110-12 PH300F110-15 PH300F110-2 PH300F110-24 PH300F110-28 PH300F110-3 PH300F110-5 PH300F24-12 PH300F24-28 PH300F280-12 PH300F280-15 PH300F280-2 PH300F280-24