PH75A28028

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说明
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PH75A28028
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
TDK-Lambda Americas Inc.
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

PH75A28028
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
3
TDK-Lambda Americas Inc.
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

PH75A28028
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
TDK-Lambda Americas Inc.
原厂封装
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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功能描述
DC/DC CONVERTER 28V 2.7A PCB
制造商
tdk-lambda americas inc.
系列
PH-A280
包装
散装
零件状态
有效
类型
隔离模块
输出数
1
电压 - 输入（最小值）
200V
电压 - 输入（最大值）
425V
电压 - 输出 1
28V
电压 - 输出 2
-
电压 - 输出 3
-
电流 - 输出（最大值）
2.7A
功率（W） - 制造系列
75W
电压 - 隔离
3kV（3000V）
应用
ITE（商业）
特性
远程开/关，OCP，OVP
安装类型
通孔
封装/外壳
8-DIP 模块，1/4 砖
大小/尺寸
2.30" 长 x 1.46" 宽 x 0.50" 高（58.3mm x 37.2mm x 12.7mm）
工作温度
-40°C ~ 85°C
效率
90%
功率（W） - 最大值
75W
标准包装
1

PH75A28028 技术参数

PH75A28015 功能描述:DC/DC CONVERTER 15V 5A PCB 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-A280 包装:散装零件状态:有效类型:隔离模块输出数:1 电压 - 输入（最小值）:200V 电压 - 输入（最大值）:425V 电压 - 输出 1:15V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:5A 功率（W） - 制造系列:75W 电压 - 隔离:3kV（3000V）应用:ITE（商业）特性:远程开/关，OCP，OVP 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP 模块，1/4 砖大小/尺寸:2.30" 长 x 1.46" 宽 x 0.50" 高（58.3mm x 37.2mm x 12.7mm）工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:90% 功率（W） - 最大值:75W 标准包装:1 PH7030L,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 68A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:68A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1362pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1 PH6530AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1 PH6325L,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:78.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1871pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.3 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PH5330E,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.7 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2010pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1 PH75F110-5 PH75F280-12 PH75F280-15 PH75F280-2 PH75F280-24 PH75F280-28 PH75F280-3 PH75F280-5 PH75F48-12 PH75F48-15 PH75F48-2 PH75F48-24 PH75F48-28 PH75F48-3 PH75F48-5 PH75S110-12 PH75S110-15 PH75S110-24