PHD108NQ03LT,118全国供应商 PHD108NQ03LT,118资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

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PHD108NQ03LT,118
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NXP
标准封装
08+
-
全新原装100%正品保证质量

PHD108NQ03LT,118
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NXP
标准封装
08+
-

PHD108NQ03LT,118
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
DPAK
18+
-
MOSFET N-CH 25V 75A ...

PHD108NQ03LT,118
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
2300
NXP
ROHS
13+
-
全新原装正品欢迎来电0755-8286...

PHD108NQ03LT,118
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
DPAK
17+
-
全新原装现货

PHD108NQ03LT,118
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
1995
phi
252
05+rohs
-
进口原装现货，一定自己库存

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功能描述
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

PHD108NQ03LT,118 技术参数

PHC2300,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:340mA，235mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:102pF @ 50V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 PHC21025,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A，2.3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 PHB66NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:860pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:93W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PHB-5R0V505-R 功能描述:5F Supercap 5V Radial, Can 130 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 70°C 0.839" L x 0.433" W (21.30mm x 11.00mm) 制造商:eaton 系列:PowerStor PHB 包装:散装零件状态:有效电容:5F 容差:-10%，+30% 电压 - 额定:5V ESR（等效串联电阻）:130 毫欧 @ 100Hz 不同温度时的使用寿命:70°C 时为 1000 小时端接:通孔安装类型:通孔封装/外壳:径向，Can 引线间距:0.209"（5.30mm）大小/尺寸:0.839" 长 x 0.433" 宽（21.30mm x 11.00mm）高度 - 安装（最大值）:1.280"（32.50mm）工作温度:-25°C ~ 70°C 标准包装:100 PHB-5R0V305-R 功能描述:3F Supercap 5V Radial, Can 200 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 70°C 0.681" L x 0.354" W (17.30mm x 9.00mm) 制造商:eaton 系列:PowerStor PHB 包装:散装零件状态:有效电容:3F 容差:-10%，+30% 电压 - 额定:5V ESR（等效串联电阻）:200 毫欧 @ 100Hz 不同温度时的使用寿命:70°C 时为 1000 小时端接:通孔安装类型:通孔封装/外壳:径向，Can 引线间距:0.465"（11.80mm）大小/尺寸:0.681" 长 x 0.354" 宽（17.30mm x 9.00mm）高度 - 安装（最大值）:1.280"（32.50mm）工作温度:-25°C ~ 70°C 标准包装:100 PHD18NQ10T,118 PHD20N06T,118 PHD21N06LT,118 PHD22NQ20T,118 PHD23NQ10T,118 PHD3055E,118 PHD33NQ20T,118 PHD34NQ10T,118 PHD36N03LT,118 PHD37N06LT,118 PHD38999/20FB4PN PHD38999/20WB4PN PHD38999/24FB4PN PHD38999/26FB4SN PHD38999/26WB4SN PHD38999/26WC8SN PHD38999/26WF30SN PHD3899920FF30PN

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