PHDR-11VS

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PHDR-11VS 技术参数

PHDR-10VS 功能描述:10 Position Rectangular Housing Connector Receptacle Natural 0.079" (2.00mm) 制造商:jst sales america inc. 系列:PHD 包装:散装零件状态:有效连接器类型:插座触头类型:母形插口针脚数:10 间距:0.079"（2.00mm）排数:2 排距:0.079"（2.00mm）安装类型:自由悬挂触头端接:压接紧固类型:- 颜色:自然色特性:- 备注:不提供触点标准包装:1,000 PHDR-08VS 功能描述:8 Position Rectangular Housing Connector Receptacle Natural 0.079" (2.00mm) 制造商:jst sales america inc. 系列:PHD 包装:散装零件状态:有效连接器类型:插座触头类型:母形插口针脚数:8 间距:0.079"（2.00mm）排数:2 排距:0.079"（2.00mm）安装类型:自由悬挂触头端接:压接紧固类型:- 颜色:自然色特性:- 备注:不提供触点标准包装:1,000 PHDMI2F4 功能描述:TVS DIODE 4.6VC 10XSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:转向装置（轨至轨）单向通道:4 电压 - 反向关态（典型值）:- 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:4.6V（标准）电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.2A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:是应用:HDMI 不同频率时的电容:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:10-XFDFN 供应商器件封装:10-DFN2510（2.5x1）标准包装:1 PHD71NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1220pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:120W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 PHD45NQ15T,118 功能描述:两极晶体管 - BJT TRENCH-150 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 PHDR-30VS PHDR-32VS PHDR-34VS PHE.1B.310.CLLD42Z PHE.3K.303.CYMK13 PHE.3K.330.CYMC85 PHE.4K.320.CYMC13 PHE.4K.320.CYMC95 PHE13003A,126 PHE13003A,412 PHE13003C,126 PHE13003C,412 PHE13005,127 PHE13005X,127 PHE13005X/01,127 PHE13007,127 PHE13009,127 PHE13009/DG,127