PHP193NQ06T,127

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说明
操作

PHP193NQ06T,127
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
TO-220AB
18+
-
MOSFET N-CH 55V 75A ...

PHP193NQ06T,127
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
TO-220AB
17+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET TRENCHMOS (TM) FET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

PHP193NQ06T,127 技术参数

PHP191NQ06LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:95.6nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7665pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP18NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:110V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:633pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 9A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP18NQ10T,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:633pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 9A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP00805E97R6BST1 功能描述:RES SMD 97.6 OHM 0.1% 5/8W 0805 制造商:vishay thin film 系列:PHP 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电阻（欧姆）:97.6 容差:±0.1% 功率（W）:0.63W，5/8W 成分:薄膜特性:耐燃，防潮，安全温度系数:±25ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 大小/尺寸:0.080" 长 x 0.050" 宽（2.03mm x 1.27mm）高度:0.033"（0.84mm）端子数:2 标准包装:1 PHP00805E9761BST1 功能描述:RES SMD 9.76K OHM 0.1% 5/8W 0805 制造商:vishay thin film 系列:PHP 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电阻（欧姆）:9.76k 容差:±0.1% 功率（W）:0.63W，5/8W 成分:薄膜特性:耐燃，防潮，安全温度系数:±25ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 大小/尺寸:0.080" 长 x 0.050" 宽（2.03mm x 1.27mm）高度:0.033"（0.84mm）端子数:2 标准包装:1 PHP21N06LT,127 PHP21N06T,127 PHP222NQ04LT,127 PHP225,118 PHP225NQ04T,127 PHP23NQ11T,127 PHP27NQ11T,127 PHP28NQ15T,127 PHP29N08T,127 PHP30 PHP3055E,127 PHP30NQ15T,127 PHP32N06LT,127 PHP33NQ20T,127 PHP34NQ11T,127 PHP36N03LT,127 PHP440 PHP45N03LTA,127