PMBFJ176,215全国供应商 PMBFJ176,215资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

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说明
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PMBFJ176,215
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
NXP
原厂原装
1706+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

PMBFJ176,215
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SOT-23（TO-236AB）
18+
-
JFET P-CH 30V 0.3W S...

PMBFJ176,215
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50
NXP
NA
14+
-
全新原装现货，假一罚十

PMBFJ176,215
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
NXP USA Inc.
原厂封装
20+
-

PMBFJ176,215
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
1785
nxp
sot23-5
15+
-
进口原装现货，一定自己库存

PMBFJ176,215
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

PMBFJ176,215
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：18998919871
地址：深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602
1000
NXP USA Inc.
带盒（TB）
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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1

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功能描述
JFET JFET P-CH 30V 1MA
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
50 mA
漏源电压 VDS
15 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
50 mA
配置
安装风格
封装 / 箱体
SC-59
封装
Reel

PMBFJ176,215 技术参数

PMBFJ175,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:7mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:3V @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:125 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ174,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:20mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:85 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ113,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:3V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:100 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ112,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:50 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ111,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:20mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:10V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:30 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBT2222,215 PMBT2222,235 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL PMBT2907AYSX PMBT3904,215 PMBT3904,235 PMBT3904/8,215 PMBT3904M,315

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