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PMDR-0-9

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  • PMDR-0-9
    PMDR-0-9

    PMDR-0-9

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Panduit Corp

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1/1页 40条/页 共4条 
  • 1
PMDR-0-9 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 电线鉴定 POLYESTER FILM 0-9 TAPE
  • RoHS
  • 制造商
  • TE Connectivity / Q-Cees
  • 产品
  • Labels and Signs
  • 类型
  • 材料
  • Vinyl
  • 颜色
  • Blue
  • 宽度
  • 0.625 in
  • 长度
  • 1 in
PMDR-0-9 技术参数
  • PMDR-0 功能描述:Wire Marker, Tape White Polyester 制造商:panduit corp 系列:PAN-CODE?? 包装:卷 零件状态:有效 类型:导线标记 - 胶带 尺寸:- 电缆直径:剪切至所需的直径 图例:0 颜色:白 材料:聚酯 工作温度:- 标准包装:10 PMDPB95XNE2X 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):99 毫欧 @ 2.8A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):4.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):258pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW(Ta) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-HUSON(2x2) 标准包装:1 PMDPB95XNE,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):143pF @ 15V 功率 - 最大值:475mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-HUSON(2x2) 标准包装:1 PMDPB85UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.9A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):103 毫欧 @ 1.3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):8.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):514pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN2020-6 标准包装:1 PMDPB80XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.7A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):102 毫欧 @ 2.7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):8.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):550pF @ 10V 功率 - 最大值:485mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN2020-6 标准包装:1 PMDR-50-59 PMDR-6 PMDR-60-69 PMDR-7 PMDR-70-79 PMDR-8 PMDR-80-89 PMDR-9 PMDR-90-99 PMDR-A PMDR-B PMDR-BL PMDR-BLK PMDR-BRN PMDR-C PMDR-D PMDR-E PMDR-F
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