PMDXB1200UPEZ全国供应商【买卖IC网】PMDXB1200UPEZ资料|PDF Datasheet|价格 Nexperia USA Inc.

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMDXB1200UPEZ
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
DFN1010B-6
18+
-
MOSFET 2P-CH 30V 0.4...

PMDXB1200UPEZ
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

PMDXB1200UPEZ
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
72500
NXP SEMIC
DIGI-REEL?
1521+
-
全新原装现货

PMDXB1200UPEZ
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Nexperia(安世)
SOT1216
刚到货
-
代理可含税开票

PMDXB1200UPEZ
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
DFN1010B-6
17+
-
全新原装现货

PMDXB1200UPEZ
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
61646
Nexperia
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

PMDXB1200UPEZ
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
14118
Nexperia USA Inc.
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

PMDXB1200UPEZ
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT1216
15+
-
原装正品，价格优势！

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1

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功能描述
MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
410mA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
950mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
43.2pF @ 15V
功率 - 最大值
285mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
DFN1010B-6
标准包装
1

PMDXB1200UPEZ 技术参数

PMDT670UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:550mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.14nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:87pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PMDT290UNE,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:800mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:83pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PMDT290UCE,115 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:800mA，550mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:83pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PMDR-9 功能描述:Wire Marker, Tape White Polyester 制造商:panduit corp 系列:PAN-CODE?? 包装:卷零件状态:有效类型:导线标记 - 胶带尺寸:- 电缆直径:剪切至所需的直径图例:9 颜色:白材料:聚酯工作温度:- 标准包装:10 PMDR-8 功能描述:Wire Marker, Tape White Polyester 制造商:panduit corp 系列:PAN-CODE?? 包装:卷零件状态:有效类型:导线标记 - 胶带尺寸:- 电缆直径:剪切至所需的直径图例:8 颜色:白材料:聚酯工作温度:- 标准包装:10 PME261JC5680KR30 PME261JC6100KR19T0 PME261JC6100KR30 PME261KE7100KR30 PME264NC5330MR30 PME264NE5470MR30 PME264NE5680MR30 PME264NE6100MR30 PME271E510MR30 PME271E522MR30 PME271E547MR30 PME271E610MR30 PME271E622KR30 PME271ED6100MR30 PME271ED6150KR30 PME271ED6220KR30 PME271M422MR30 PME271M447MR30

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