PME261JB5100KR30

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PME261JB5100KR30
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
KEMET(基美)
径向引线,P=15.2mm
刚到货
-
代理可含税开票

PME261JB5100KR30
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
8900
KEMET
DIP
11+
-
绝对公司原装现货

PME261JB5100KR30
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865720
原厂
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

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功能描述
薄膜电容器 1000volts 0.01uF 10% LS 15.2mm
RoHS
否
制造商
Cornell Dubilier
产品类型
电介质
Polyester
电容
0.047 uF
容差
10 %
电压额定值
100 V
系列
225P
工作温度范围
- 55 C to + 85 C
端接类型
Radial
引线间隔
9.5 mm

PME261JB5100KR30 技术参数

PMDXB950UPEZ 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PMDXB950UPELZ 功能描述:20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PMDXB950UPE 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN（1.1x1）标准包装:1 PMDXB600UNEZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:600mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PMDXB600UNELZ 功能描述:20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:600mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PME264NE6100MR30 PME271E510MR30 PME271E522MR30 PME271E547MR30 PME271E610MR30 PME271E622KR30 PME271ED6100MR30 PME271ED6150KR30 PME271ED6220KR30 PME271M422MR30 PME271M447MR30 PME271M510MR30 PME271M522MR30 PME271M533MR30 PME271M547MR19T0 PME271M547MR30 PME271M568MR30 PME271M610MR30