您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

PME261JB5330KR19T0

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PME261JB5330KR19T0
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
KEMET
原封装
最新批号
-
一级代理,原装正品现货！

1/1页 40条/页共3条
1

您是不是要找： PME261JB5330KR30 PME261JC5680KR30 PME261JC6100KR19T0 PME261JC6100KR30 PME261KE7100KR30 PME264NC5330MR30 PME264NE5470MR30 PME264NE5680MR30 PME264NE6100MR30

PME261JB5330KR19T0 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PME261JB5330KR19T0 PDF下载

功能描述
薄膜电容器 1000volt 0.033uF 10% LS 15.2mm
RoHS
否
制造商
Cornell Dubilier
产品类型
电介质
Polyester
电容
0.047 uF
容差
10 %
电压额定值
100 V
系列
225P
工作温度范围
- 55 C to + 85 C
端接类型
Radial
引线间隔
9.5 mm

PME261JB5330KR19T0 技术参数

PME261JB5220KR30 功能描述:0.022μF Film Capacitor 500V Paper, Metallized Radial 0.728" L x 0.287" W (18.50mm x 7.30mm) 制造商:kemet 系列:PME261 包装:散装零件状态:有效电容:0.022μF 容差:±10% 额定电压 - AC:500V 额定电压 - DC:- 介电材料:纸，金属化 ESR（等效串联电阻）:- 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔封装/外壳:径向大小/尺寸:0.728" 长 x 0.287" 宽（18.50mm x 7.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.512"（13.00mm）端接:PC 引脚引线间距:0.598"（15.20mm）应用:EMI，RFI 抑制特性:- 标准包装:400 PMDXB950UPEZ 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PMDXB950UPELZ 功能描述:20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PMDXB950UPE 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN（1.1x1）标准包装:1 PMDXB600UNEZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:600mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PME271E510MR30 PME271E522MR30 PME271E547MR30 PME271E610MR30 PME271E622KR30 PME271ED6100MR30 PME271ED6150KR30 PME271ED6220KR30 PME271M422MR30 PME271M447MR30 PME271M510MR30 PME271M522MR30 PME271M533MR30 PME271M547MR19T0 PME271M547MR30 PME271M568MR30 PME271M610MR30 PME271M615KR30